GIGABYTE a făcut publice primele imagini cu viitoarele sale plăci de bază construite în jurul chipset-ului Intel H55 Express şi dedicate platformelor LGA-1156. Pentru început au apărut patru modele, una în format ATX, GA-H55-UD3H şi alte trei în format M-ATX, GA-H55-S2H, GA-H55M-UD2H, GA-H57M-USB3.

Primul model este GA-H55-UD3H, o placă de bază în format ATX construită folosind tehnologia Ultra Durable 3 Classic ce ne oferă condensatori solizi japonezi, PCB cu 2oz de cupru, un VRM cu 7 faze pentru CPU, 1 x PCI-E 2.0 x16, 1 x PCI-E x16 (x4), 1 x PCI-E, 4 x PCI, 6 x SATA, 4 x DDR3 Dual Channel.
| GIGABYTE GA-H55-UD3H |
|
Următoare este GA-H55-S2H în format M-ATX şi cu o construcţie / layout similar cu precedentul model. Acelaşi VRM cu 7 faze dar condensatorii solizi sunt acum limitati strict la zonele ce ţin de alimentare, restul fiind condensatori clasici, 1 x PCI-E 2.0 x16, 1 x PCI-E x16 (x4), 2 x PCI, 6 x SATA, 2 x DDR3 Dual Channel.
| GIGABYTE GA-H55-S2H |
|
GA-H55M-UD2H pare să fie o versiune ceva mai bogată în dotări decât GA-H55-S2, formatul a rămas M-ATX având în plus tehnologiile Ultra Durable 3 Classic deci condesatori solizi peste tot, PCB cu strat dublu de cupru, 4 x DDR3 Dual Channel, 1 x PCI-E 2.0 x16, 1 x PCI-E x16 (x4), 2 x PCI, 5 x SATA (1 x eSATA extern).
| GIGABYTE GA-H55M-UD2H |
|
Modelul GA-H57M-USB3 foloseşte o versiune mai bogată în dotări a chipset-ului Intel H57 PCH care aduce în plus un număr mai mare de port-uri USB 2.0, PCI-E x1 precum şi tehnologiile Intel Rapid Storage şi Remote PC Assist. Construcţia beneficiază de tehnologia GIGABYTE Ultra Durable 3 cu toţi condensatorii solizi, strat dublu de cupru (2 oz copper PCB), bobine cu miez de ferită şi MOSFET-i low RDS (on).
| GIGABYTE GA-H57M-USB3 |
|
Sursa imagini: GIGABYTE
| Articolul anterior | Articolul urmator | |
| ← Primele procesoare Intel pe 32nm | nVidia prezintă specificaţiile pentru GT300 Fermi → |
|---|


