Chiar dacă într-un timp destul de scurt, memoriile DDR4 îşi vor face loc către sistemele noastre nici măcar acestea nu sunt se pare suficient de performante pentru necesarul zonelor high-end computing astfel că Samsung şi Micron ne promit o adevărată revoluţie arhitecturală odată cu memoriile Hybrid Memory Cube sau HMC.

Arhitectura memoriilor DRAM Hybrid Memory Cube foloseşte un mod radical de construcţie, asemănător unei stive din mai multe straturi de silicon interconectate între ele. Rezultatele preliminare obţinute în laboratoarele Samsung şi Micron indică performanţe cu mult peste cele ale standardelor curente DDR3 / DDR4.
Ne sunt promise performanţe de 15 ori mai bune decât cele ale modulelor de memorie DDR3, un consum cu 70% mai mic per bit faţă de DDR3 şi o reducere a spaţiului fizic ocupat cu 90% faţă de modulele RDIMM.
Proiectul arhitecturii memoriilor Hybrid Memory Cube (HMC) pare să se îndrepte spre o finalitate destul de clară mai ales că doi dintre giganţii semiconductoarelor, Samsung şi Micron, au format o alianţă (Hybrid Memory Cube Consortium) menită să grăbească procesul de cercetare / dezvoltare şi producţie, la această alianţă fiind în prezent implicaţi şi Altera Corporation, IBM, OpenSilicon, Xilinx.
Deşi pentru utilizatorii de rând, astfel de memorii nu îşi vor face loc prea curând în configuraţiile sistemelor desktop, memoriile HMC pot aduce acel spor de performanţă atât de necesar domeniului serverelor, cloud computing şi cercetării avansate, într-un final având cu toţii de beneficiat de pe urma lor.
| Articolul anterior | Articolul urmator | |
| Lenovo ThinPad X1 Hybrid si o abordare interesanta | ASUS SABERTOOTH X79 Preview si Pictorial |
|---|




Ultimele comentarii
21.05.13 18:00, Scris de North
12.05.13 20:21, Scris de pcmhz
12.05.13 18:31, Scris de surugiumihai
12.05.13 17:00, Scris de ionutz
08.05.13 21:45, Scris de Valentin