Divizia de semiconductori a producătorului corean Samsung a anunţat începerea livrării de sample-uri pentru modulele de memorie cu cea mai mare capacitate (32GB) realizate în procesul tehnologic pe 40nm şi destinate în principal utilizării în serverele de înaltă performanţă.
După ce luna trecută Samsung anunţa realizarea cu succes a primelor module de memorie pe 30-nm este oarecum normal ca următorul pas să fie apariţia unor module de mare capacitate. Materializate sub forma unor module DDR3 RDIMM cu o capacitate de 32GB per modul acestea oferă acelaşi consum, uneori chiar mai mic, decât modulele clasice de 16GB / 40nm.
Faţă de maximul de 192GB cu care se putea echipa un server dual CPU, capacitatea maximă s-a dublat fiind acum de 384GB, consumul de curent cunoscând o creştere de doar 5%. În zona serverelor four-way high-end maximul de 1TB DRAM este acum ridicat la impresionanta capacitate de 2TB. Reducerea consumului de curent se poate obţine prin păstrarea cantităţii totale de memorie obţinute anterior cu module de 16GB dar înjumătăţirea acestora prin folosirea noilor memorii de 32GB moment în care se poate obţine un consum de curent mai mic cu 40%.
Samsung anunţă intrarea în producţie de masă a memoriile 32GB RDIMM din luna următoare (Aprilie 2010).
| Articolul anterior | Articolul urmator | |
| ← AMD lanseaza placile video Radeon HD 5870 Eyefinity 6 | GIGABYTE anunta placile grafice GeForce GTX 480 si GTX 470 → |
|---|
