După ce în luna Mai a.c. producătorul japonez Elpida finaliza etapa de proiectare pentru noile chip-uri de memorie DRAM construite folosind procesul tehnologic pe 25 nanometri iată că aceştia au anunţat acum începerea livrării acestora pe piaţă.
Elpida ne mai informează că pentru început acestea vor consta în module de memorie DDR3 SDRAM cu capacitatea de 2GB urmând ca spre finele anului 2011 să apară în comerţ şi varianta de 4GB DDR3 SDRAM pe 24nm.
Principalele beneficii aduse de trecerea la nodul pe 25nm de la cel de 30nm îl reprezintă consumul de curent redus cu 15% în operarea normală şi cu 20% în standby, oarecum de aşteptat deoarece aceste memorii funcţionează cu voltaje de 1.5V şi 1.35V (Low Voltage).
| Articolul anterior | Articolul urmator | |
| ← SuperSpeed USB 3.0 pentru oricine de la HighPoint | Razer Electra - casti audio pentru gameri → |
|---|
