Specialistul în module de memorie pentru overclocking, Walton Chaintech Corporation, introduce noile kituri de memorile APOGEE GT Triple-Channel DDR3 special proiectate pentru procesoare Intel Core i7 şi chipset-ul Intel X58 Express. Cele mai recente platforme Intel Core i7 cu suport pentru memorii DDR3 au arătat performanţe uimitoare şi o creştere semnificativă a lăţimii de bandă folosind module de memorie DDR3 tri-channel în configuraţii bazate pe chipsetul Intel X58. Chaintech a pregătit kituri triple-channel DDR3-1333, DDR3-1600 şi DDR3-1866 ce sunt oferite în kituri de 3GB şi 6GB.

În acelaşi timp, toate kiturile de memorie APOGEE GT Triple-Channel DDR3 sunt realizate cu PCB-uri în 8 straturi şi se folosesc de chip-uri de memorie de cea mai înaltă calitate de la producători faimoşi. Fiecare chip este verificat manual. De asemenea, toate chipurile sunt fabricate folosind modul Fine-Pitch Ball Grid Array (FBGA) pentru a avea un mai bun transfer termic şi o eficienţă electrică ridicată. Aceste caracteristici tehnice unice asigură performanţe optime prin combinaţia de voltaje scăzute, viteze de lucru ridicate şi abilităţi de overclocking instantanee.

Specificaţii

DDR3 1600 6 GB Kit PC3 12800 CL=7 (link )
Triple Channel Kit package (2GB*3 PCS) 240pin DDR3 Synchronous Un-buffered 2GB FBGA DRAM 128Mx8-bit with 16pcs Memory Clock, Speed 1600MHz 8 Layers PCB CL= 7-7-7-18 SSTL 1.7V (+/-0.1V)
DDR3 SDRAM cycle time at Max. Supported CAS latency=X	1.25
CAS# Latencies Supported	7
DDR3 SDRAM Device Minimum Row Precharge Time tRP	8.75
DDR3 SDRAM Device Minimum RAS# to CAS# Delay tRCD	8.75
DDR3 SDRAM Device Minimum RAS# Pulse Width tRAS	25

DDR3 1866 6GB KIT PC3 14400 CL=8 (link )
Triple Channel Kit package (2GB*3 PCS) 240pin DDR3 Synchronous Un-buffered 2GB FBGA DRAM 128Mx8-bit with 16 pcs Memory Clock, Speed 1866 MHz 8 Layers PCB CL= 8-8-8-24 SSTL 1.8V (+/-0.1V)
DDR3 SDRAM cycle time at Max. Supported CAS latency=X	1.11
CAS# Latencies Supported	8
DDR3 SDRAM Device Minimum Row Precharge Time tRP	8.88
DDR3 SDRAM Device Minimum RAS# to CAS# Delay tRCD	8.88
DDR3 SDRAM Device Minimum RAS# Pulse Width tRAS	26.64

DDR3 2000 6GB KIT PC3 16000 CL=9 (link )
Triple Channel Kit package (2GB*3 PCS) 240pin DDR3 Synchronous Un-buffered 2GB FBGA DRAM 128Mx8-bit with 16 pcs Memory Clock, Speed 2000 MHz 8 Layers PCB CL= 9-9-9-27 SSTL 1.9V (+/-0.1V)
DDR3 SDRAM cycle time at Max. Supported CAS latency=X	1
CAS# Latencies Supported	9
DDR3 SDRAM Device Minimum Row Precharge Time tRP	9
DDR3 SDRAM Device Minimum RAS# to CAS# Delay tRCD	9
DDR3 SDRAM Device Minimum RAS# Pulse Width tRAS	27

Sursa: Chaintech